ROHM Product Detail

BST25B2P4K01-VC (Neues Produkt)
HSDIP20, 1200V, 25A, Vollbrücke, Automotive / Industrial Grade SiC-Leistungsmodul

Der BST25B2P4K01 ist ein leistungsstarkes, geformtes SiC-Modul für 1200V, das mit einer 4-in-1-Struktur für PFC- und LLC-Schaltungen in Onboard-Ladegeräten (OBCs) entwickelt wurde. Der HSDIP20 verfügt über ein isolierendes Substrat mit hervorragenden Wärmeableitungseigenschaften. Dies trägt dazu bei, eine stabile Chiptemperatur auch unter Hochleistungsbedingungen aufrechtzuerhalten, was eine hohe Strombelastbarkeit in einem kompakten Formfaktor ermöglicht. Im Vergleich zu oben gekühlten diskreten Geräten liefert er über die dreifache Leistungsdichte – und das 1,4-fache anderer DIP-Module. In PFC-Anwendungen kann die Montagefläche um etwa 52% reduziert werden, was erheblich zur Miniaturisierung von Leistungswandlerschaltungen in Anwendungen wie OBCs beiträgt. Mit wesentlichen Leistungswandlerschaltungen, die in das Modul integriert sind, reduziert es den Designaufwand und ermöglicht die Miniaturisierung von Leistungswandlerschaltungen in OBCs und anderen Anwendungen. Als Schlüssellösung für Automobilsysteme der nächsten Generation unterstützt es die Entwicklung von leistungsstarken, kompakten elektrischen Antriebssträngen.

Anwendungsbeispiele

  • Automobilsysteme: Onboard-Ladegeräte, elektrische Kompressoren und mehr.
  • Industrielle Ausrüstung: EV-Ladestationen, V2X-Systeme, AC-Servos, Servernetzteile, PV-Wechselrichter, Stromaufbereiter usw.

Produktdetails

 
Teilenummer | BST25B2P4K01-VC
Status | Empfohlen
Gehäuse | HSDIP20
Gehäusetyp | Corrugated Cardboard
Einheitenmenge | 180
Minimale Gehäusemenge | 60
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

25

Total Power Dissipation[W]

152

Junction Temperature (Max.) [℃]

175

Storage Temperature (Min.) [℃]

-40

Storage Temperature (Max.) [℃]

125

Package

Full-bridge

Package Size [mm]

38.0x31.3 (t=3.5)

Common Standard

AQG 324 (Automotive Grade)

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Eigenschaften:

  • HSDIP20-Gehäuse mit SiC-MOSFET der 4. Generation
  • VDSS = 1200V
  • Niedriger RDS(on)
  • Hochgeschwindigkeits-Schaltung möglich
  • Geringe Schaltverluste
  • Tvjmax = 175°C
  • Kompaktes Design
  • Mit hochwärmeleitender Isolation
  • Integrierter NTC-Temperatursensor
  • 4,2 kV AC 1s Isolation

Produktvideo & Katalog

 
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