BST25T2P4K01-VC (Neues Produkt)
HSDIP20, 1200V, 25A, 3-Phasen-Brücke, Automotive / Industrial Grade SiC Leistungsmodul
BST25T2P4K01-VC (Neues Produkt)
HSDIP20, 1200V, 25A, 3-Phasen-Brücke, Automotive / Industrial Grade SiC Leistungsmodul
Der BST25T2P4K01 ist ein Hochleistungs-SiC-Formteilmodul für 1200 V, das mit einer 6-in-1-Struktur entwickelt wurde, die sich ideal für PFC- und LLC-Schaltungen in Onboard-Ladegeräten (OBCs) eignet. HSDIP20 verfügt über ein isolierendes Substrat mit hervorragenden Wärmeableitungseigenschaften. Dies hilft, eine stabile Chiptemperatur auch unter Hochleistungsbedingungen aufrechtzuerhalten und ermöglicht eine hohe Strombelastbarkeit innerhalb eines kompakten Formfaktors. Im Vergleich zu oben gekühlten diskreten Bauelementen liefert es über das Dreifache der Leistungsdichte und das 1,4-fache der anderer DIP-Module. In PFC-Anwendungen kann es die Montagefläche um etwa 52 % reduzieren, was erheblich zur Miniaturisierung von Leistungswandlerschaltungen in Anwendungen wie OBCs beiträgt. Mit wesentlichen Leistungswandlerschaltungen, die in das Modul integriert sind, reduziert es den Designaufwand und ermöglicht die Miniaturisierung von Leistungswandlerschaltungen in OBCs und anderen Anwendungen. Als Schlüssellösung für Automobilsysteme der nächsten Generation unterstützt es die Entwicklung von Hochleistungs-, kompakten elektrischen Antriebssträngen.Anwendungsbeispiele
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain Current[A]
25
Total Power Dissipation[W]
152
Junction Temperature (Max.) [℃]
175
Storage Temperature (Min.) [℃]
-40
Storage Temperature (Max.) [℃]
125
Package
3-Phase-Bridge
Package Size [mm]
38.0x31.3 (t=3.5)
Common Standard
AQG 324 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- HSDIP20-Gehäuse mit SiC-MOSFET der 4. Generation
- VDSS = 1200V
- Niedriger RDS(on)
- Hochgeschwindigkeits-Schaltung möglich
- Geringe Schaltverluste
- Tvjmax = 175°C
- Kompaktes Design
- Mit hochwärmeleitender Isolierung
- Integrierter NTC-Temperatursensor
- 4.2kV AC 1s Isolierung