ROHM Product Detail

BST31B1P4K01-VC (Neues Produkt)
HSDIP20, 750V, 31A, Vollbrücken-, Automotive / Industrial Grade SiC Leistungsmodul

Der BST31B1P4K01 ist ein Hochleistungs-SiC-Modul mit 750 V Nennspannung in einer 4-in-1-Struktur, das sich ideal für PFC- und LLC-Schaltungen in Onboard-Ladegeräten (OBCs) eignet. Das HSDIP20 verfügt über ein isolierendes Substrat mit hervorragenden Wärmeableitungseigenschaften. Dies trägt dazu bei, eine stabile Chiptemperatur selbst unter Hochleistungsbedingungen aufrechtzuerhalten, und ermöglicht eine hohe Strombelastbarkeit in einem kompakten Formfaktor. Im Vergleich zu oben gekühlten diskreten Bauelementen liefert es mehr als die dreifache Leistungsdichte – und das 1,4-fache anderer DIP-Module. In PFC-Anwendungen kann es die Montagefläche um etwa 52 % reduzieren, was erheblich zur Miniaturisierung von Leistungsumwandlungsschaltungen in Anwendungen wie OBCs beiträgt. Da wichtige Leistungsumwandlungsschaltungen in das Modul integriert sind, reduziert es den Designaufwand und ermöglicht die Miniaturisierung von Leistungsumwandlungsschaltungen in OBCs und anderen Anwendungen. Als Schlüssellösung für Automobilsysteme der nächsten Generation unterstützt es die Entwicklung von leistungsstarken, kompakten elektrischen Antriebssträngen.

Anwendungsbeispiele

  • Automobilsysteme: Onboard-Ladegeräte, elektrische Kompressoren und mehr.
  • Industrieausrüstung: EV-Ladestationen, V2X-Systeme, AC-Servos, Server-Netzteile, PV-Wechselrichter, Stromaufbereiter usw.

Produktdetails

 
Teilenummer | BST31B1P4K01-VC
Status | Empfohlen
Gehäuse | HSDIP20
Gehäusetyp | Corrugated Cardboard
Einheitenmenge | 180
Minimale Gehäusemenge | 60
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

750

Drain Current[A]

31

Total Power Dissipation[W]

152

Junction Temperature (Max.) [℃]

175

Storage Temperature (Min.) [℃]

-40

Storage Temperature (Max.) [℃]

125

Package

Full-Bridge

Package Size [mm]

38.0x31.3 (t=3.5)

Common Standard

AQG 324 (Automotive Grade)

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Eigenschaften:

  • HSDIP20-Gehäuse mit SiC-MOSFET der 4. Generation
  • VDSS = 750V
  • Geringer RDS(on)
  • Hochgeschwindigkeitsschaltung möglich
  • Geringe Schaltverluste
  • Tvjmax = 175°C
  • Kompaktes Design
  • Mit hoch wärmeleitender Isolierung
  • Integrierter NTC-Temperatursensor
  • 4.2kV AC 1s Isolierung

Produktvideo & Katalog

 
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