ROHM Product Detail

BST38B2P4K01-VC (Neues Produkt)
HSDIP20, 1200V, 38A, Vollbrücke, Automotive / Industrial Grade SiC-Leistungsmodul

Das BST38B2P4K01 ist ein Hochleistungs-SiC-Formmodul für 1200V, das mit einer 4-in-1-Struktur ideal für PFC- und LLC-Schaltungen in Onboard-Ladegeräten (OBCs) entwickelt wurde. HSDIP20 verfügt über ein isolierendes Substrat mit hervorragenden Wärmeableitungseigenschaften. Dies trägt dazu bei, eine stabile Chiptemperatur auch unter Hochleistungsbedingungen aufrechtzuerhalten, was eine hohe Strombelastbarkeit in einem kompakten Formfaktor ermöglicht. Im Vergleich zu oben gekühlten diskreten Bauelementen liefert es über das Dreifache der Leistungsdichte und das 1,4-fache anderer DIP-Module. In PFC-Anwendungen kann es den Montagebereich um etwa 52 % reduzieren, was erheblich zur Miniaturisierung von Leistungswandlerschaltungen in Anwendungen wie OBCs beiträgt. Mit wesentlichen Leistungswandlerschaltungen, die in das Modul integriert sind, reduziert es den Designaufwand und ermöglicht die Miniaturisierung von Leistungswandlerschaltungen in OBCs und anderen Anwendungen. Als Schlüssellösung für zukünftige Automobilsysteme unterstützt es die Entwicklung von leistungsstarken, kompakten elektrischen Antriebssträngen.

Anwendungsbeispiele

  • Automobilsysteme: Onboard-Ladegeräte, elektrische Kompressoren und mehr.
  • Industrielle Ausrüstung: EV-Ladestationen, V2X-Systeme, AC-Servos, Servernetzteile, PV-Wechselrichter, Power Conditioner usw.

Produktdetails

 
Teilenummer | BST38B2P4K01-VC
Status | Empfohlen
Gehäuse | HSDIP20
Gehäusetyp | Corrugated Cardboard
Einheitenmenge | 180
Minimale Gehäusemenge | 60
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

38

Total Power Dissipation[W]

227

Junction Temperature (Max.) [℃]

175

Storage Temperature (Min.) [℃]

-40

Storage Temperature (Max.) [℃]

125

Package

Full-Bridge

Package Size [mm]

38.0x31.3 (t=3.5)

Common Standard

AQG 324 (Automotive Grade)

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Eigenschaften:

  • HSDIP20-Gehäuse mit dem SiC-MOSFET der 4. Generation
  • VDSS = 1200V
  • Niedriger RDS(on)
  • Hochgeschwindigkeits-Schaltung möglich
  • Geringe Schaltverluste
  • Tvjmax = 175°C
  • Kompaktes Design
  • Mit hoher Wärmeleitfähigkeit Isolierung
  • Integrierter NTC-Temperatursensor
  • 4,2kV AC 1s Isolierung

Produktvideo & Katalog

 
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