ROHM Product Detail

BST47B1P4K01-VC (Neues Produkt)
HSDIP20, 750 V, 47 A, Vollbrücke, Automotive/Industrial Grade SiC-Leistungsmodul

Der BST47B1P4K01 ist ein Hochleistungs-SiC-Formmodul mit einer Nennleistung von 750 V, das mit einer 4-in-1-Struktur für PFC- und LLC-Schaltungen in Onboard-Ladegeräten (OBCs) entwickelt wurde. HSDIP20 verfügt über ein Isoliersubstrat mit hervorragenden Wärmeableitungseigenschaften. Dies trägt dazu bei, eine stabile Chiptemperatur auch unter hohen Leistungsbedingungen aufrechtzuerhalten und eine hohe Strombelastbarkeit innerhalb eines kompakten Formfaktors zu ermöglichen. Im Vergleich zu oben gekühlten diskreten Bauelementen liefert es mehr als die dreifache Leistungsdichte – und das 1,4-fache anderer DIP-Module. In PFC-Anwendungen kann die Montagefläche um etwa 52 % reduziert werden, was erheblich zur Miniaturisierung von Leistungswandlerschaltungen in Anwendungen wie OBCs beiträgt. Mit wesentlichen Leistungswandlerschaltungen, die in das Modul integriert sind, reduziert es den Designaufwand und ermöglicht die Miniaturisierung von Leistungswandlerschaltungen in OBCs und anderen Anwendungen. Als Schlüssellösung für Automobilsysteme der nächsten Generation unterstützt es die Entwicklung von leistungsstarken, kompakten elektrischen Antriebssträngen.

Anwendungsbeispiele

  • Automobilsysteme: Onboard-Ladegeräte, elektrische Kompressoren und mehr.
  • Industrieausrüstung: EV-Ladestationen, V2X-Systeme, AC-Servos, Server-Netzteile, PV-Wechselrichter, Stromaufbereiter usw.

Produktdetails

 
Teilenummer | BST47B1P4K01-VC
Status | Empfohlen
Gehäuse | HSDIP20
Gehäusetyp | Corrugated Cardboard
Einheitenmenge | 180
Minimale Gehäusemenge | 60
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

750

Drain Current[A]

47

Total Power Dissipation[W]

227

Junction Temperature (Max.) [℃]

175

Storage Temperature (Min.) [℃]

-40

Storage Temperature (Max.) [℃]

125

Package

Full-Bridge

Package Size [mm]

38.0x31.3 (t=3.5)

Common Standard

AQG 324 (Automotive Grade)

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Eigenschaften:

  • HSDIP20-Gehäuse mit SiC-MOSFET der 4. Generation
  • VDSS = 750 V
  • Niedriger RDS(on)
  • Hochgeschwindigkeits-Schaltung möglich
  • Geringe Schaltverluste
  • Tvjmax = 175 °C
  • Kompaktes Design
  • Mit wärmeleitfähiger Isolation
  • Integrierter NTC-Temperatursensor
  • 4,2 kV AC 1s Isolation

Produktvideo & Katalog

 
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