BST47T1P4K01-VC (Neues Produkt)
HSDIP20, 750V, 47A, 3-Phasen-Brücke, SiC-Leistungsmodul für Automotive / Industrial Grade
BST47T1P4K01-VC (Neues Produkt)
HSDIP20, 750V, 47A, 3-Phasen-Brücke, SiC-Leistungsmodul für Automotive / Industrial Grade
Das BST47T1P4K01 ist ein Hochleistungs-SiC-Formmodul für 750 V, das mit einer 6-in-1-Struktur entwickelt wurde, die ideal für PFC- und LLC-Schaltungen in Onboard-Ladegeräten (OBCs) ist. HSDIP20 verfügt über ein Isoliersubstrat mit hervorragenden Wärmeleiteigenschaften. Dies trägt dazu bei, eine stabile Chiptemperatur auch unter Hochleistungsbedingungen aufrechtzuerhalten, was eine hohe Strombelastbarkeit innerhalb eines kompakten Formfaktors ermöglicht. Im Vergleich zu von oben gekühlten diskreten Bauteilen liefert es mehr als die dreifache Leistungsdichte – und das 1,4-fache anderer DIP-Module. In PFC-Anwendungen kann es die Montagefläche um etwa 52 % reduzieren, was erheblich zur Miniaturisierung von Leistungswandlerschaltungen in Anwendungen wie OBCs beiträgt. Mit wesentlichen Leistungswandlerschaltungen, die in das Modul integriert sind, reduziert es den Designaufwand und ermöglicht die Miniaturisierung von Leistungswandlerschaltungen in OBCs und anderen Anwendungen. Als Schlüssellösung für Automobilsysteme der nächsten Generation unterstützt es die Entwicklung von leistungsstarken, kompakten elektrischen Antriebssträngen.Anwendungsbeispiele
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
750
Drain Current[A]
47
Total Power Dissipation[W]
227
Junction Temperature (Max.) [℃]
175
Storage Temperature (Min.) [℃]
-40
Storage Temperature (Max.) [℃]
125
Package
3-Phase-bridge
Package Size [mm]
38.0x31.3 (t=3.5)
Common Standard
AQG 324 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- HSDIP20-Gehäuse mit SiC-MOSFET der 4. Generation
- VDSS = 750V
- Geringer RDS(on)
- Hochgeschwindigkeitsschaltung möglich
- Geringe Schaltverluste
- Tvjmax = 175°C
- Kompaktes Design
- Mit hochwärmeleitender Isolation
- Integrierter NTC-Temperatursensor
- 4,2kV AC 1s Isolation