ROHM Product Detail

BST70B2P4K01-VC (Neues Produkt)
HSDIP20, 1200V, 70A, Vollbrücken-SiC-Leistungsmodul für die Automobil- und Industriebranche

Der BST70B2P4K01 ist ein Hochleistungs-SiC-Formmodul für 1200 V mit einer 4-in-1-Struktur, ideal für PFC- und LLC-Schaltungen in Onboard-Ladegeräten (OBCs). HSDIP20 verfügt über ein Isoliersubstrat mit hervorragenden Wärmeableitungseigenschaften. Dies trägt dazu bei, eine stabile Chiptemperatur auch unter Hochleistungsbedingungen aufrechtzuerhalten, was eine hohe Strombelastbarkeit in einem kompakten Formfaktor ermöglicht. Im Vergleich zu oben gekühlten diskreten Bauelementen liefert es mehr als die dreifache Leistungsdichte – und das 1,4-fache anderer DIP-Module. In PFC-Anwendungen kann es den Montagebereich um etwa 52 % reduzieren, was erheblich zur Miniaturisierung von Leistungswandlerschaltungen in Anwendungen wie OBCs beiträgt. Da die wesentlichen Leistungswandlerschaltungen in das Modul integriert sind, reduziert es den Designaufwand und ermöglicht die Miniaturisierung von Leistungswandlerschaltungen in OBCs und anderen Anwendungen. Als Schlüssellösung für Automobilsysteme der nächsten Generation unterstützt es die Entwicklung von leistungsstarken, kompakten elektrischen Antriebssträngen.

Anwendungsbeispiele

  • Automobilsysteme: Onboard-Ladegeräte, elektrische Kompressoren und mehr.
  • Industrieausrüstung: EV-Ladestationen, V2X-Systeme, AC-Servos, Servernetzteile, PV-Wechselrichter, Stromaufbereiter usw.

Produktdetails

 
Teilenummer | BST70B2P4K01-VC
Status | Empfohlen
Gehäuse | HSDIP20
Gehäusetyp | Corrugated Cardboard
Einheitenmenge | 180
Minimale Gehäusemenge | 60
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

70

Total Power Dissipation[W]

385

Junction Temperature (Max.) [℃]

175

Storage Temperature (Min.) [℃]

-40

Storage Temperature (Max.) [℃]

125

Package

Full-bridge

Package Size [mm]

38.0x31.3 (t=3.5)

Common Standard

AQG 324 (Automotive Grade)

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Eigenschaften:

  • HSDIP20-Gehäuse mit der 4. Generation des SiC-MOSFET
  • VDSS = 1200V
  • Niedriger RDS(on)
  • Hohe Schaltgeschwindigkeiten möglich
  • Niedrige Schaltverluste
  • Tvjmax = 175°C
  • Kompaktes Design
  • Mit hochwärmeleitender Isolation
  • Integrierter NTC-Temperatursensor
  • 4,2kV AC 1s Isolation

Produktvideo & Katalog

 
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