BST70M2P4K01-VC (Neues Produkt)
HSDIP20, 1200V, 70/38A, 3-Phasen-Brücke, Automotive-/Industrie-SiC-Leistungsmodul
BST70M2P4K01-VC (Neues Produkt)
HSDIP20, 1200V, 70/38A, 3-Phasen-Brücke, Automotive-/Industrie-SiC-Leistungsmodul
Das BST70M2P4K01 ist ein Hochleistungs-SiC-Modul mit 1200 V und einer 6-in-1-Struktur, das sich ideal für PFC- und LLC-Schaltungen in Onboard-Ladegeräten (OBCs) eignet. HSDIP20 verfügt über ein isolierendes Substrat mit hervorragenden Wärmeableitungseigenschaften. Dies trägt dazu bei, eine stabile Chiptemperatur auch unter Hochleistungsbedingungen aufrechtzuerhalten, was eine hohe Strombelastbarkeit in einem kompakten Formfaktor ermöglicht. Im Vergleich zu oben gekühlten diskreten Bauelementen liefert es mehr als die dreifache Leistungsdichte und das 1,4-fache anderer DIP-Module. In PFC-Anwendungen kann es die Montagefläche um etwa 52 % reduzieren, was erheblich zur Miniaturisierung von Leistungswandlerschaltungen in Anwendungen wie OBCs beiträgt. Da die wesentlichen Leistungswandlerschaltungen im Modul integriert sind, reduziert es den Designaufwand und ermöglicht die Miniaturisierung von Leistungswandlerschaltungen in OBCs und anderen Anwendungen. Als Schlüssellösung für Automobilsysteme der nächsten Generation unterstützt es die Entwicklung von leistungsstarken, kompakten elektrischen Antriebssträngen.Anwendungsbeispiele
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain Current[A]
70/38
Total Power Dissipation[W]
385/227
Junction Temperature (Max.) [℃]
175
Storage Temperature (Min.) [℃]
-40
Storage Temperature (Max.) [℃]
125
Package
3-Phase-Bridge
Package Size [mm]
38.0x31.3 (t=3.5)
Common Standard
AQG 324 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- HSDIP20-Gehäuse mit SiC-MOSFET der 4. Generation
- VDSS = 1200V
- Geringer RDS(on)
- Hochgeschwindigkeits-Schalten möglich
- Geringe Schaltverluste
- Tvjmax = 175°C
- Kompaktes Design
- Mit hochwärmeleitender Isolation
- Integrierter NTC-Temperatursensor
- 4.2kV AC 1s Isolation