ROHM Product Detail

BST70T2P4K01-VC (Neues Produkt)
HSDIP20, 1200V, 70A, 3-Phasen-Brücke, Automotive / Industrieller SiC-Leistungsmodul

Der BST70T2P4K01 ist ein Hochleistungs-SiC-Formmodul mit einer Nennleistung von 1200 V und einer 6-in-1-Struktur, die ideal für PFC- und LLC-Schaltungen in Bordladegeräten (OBCs) ist. HSDIP20 verfügt über ein isolierendes Substrat mit hervorragenden Wärmeableitungseigenschaften. Dies trägt dazu bei, eine stabile Chiptemperatur auch unter Hochleistungsbedingungen aufrechtzuerhalten, was eine hohe Strombelastbarkeit in einem kompakten Formfaktor ermöglicht. Im Vergleich zu oben gekühlten diskreten Geräten bietet es eine über 3-fache Leistungsdichte – und das 1,4-fache anderer DIP-Module. In PFC-Anwendungen kann es die Montagefläche um etwa 52 % reduzieren, was erheblich zur Miniaturisierung von Leistungswandlerschaltungen in Anwendungen wie OBCs beiträgt. Da wesentliche Leistungswandlerschaltungen in das Modul integriert sind, reduziert es den Designaufwand und ermöglicht die Miniaturisierung von Leistungswandlerschaltungen in OBCs und anderen Anwendungen. Als Schlüssellösung für Automobilsysteme der nächsten Generation unterstützt es die Entwicklung von leistungsstarken, kompakten elektrischen Antriebssträngen.

Anwendungsbeispiele

  • Automobilsysteme: Bordladegeräte, elektrische Kompressoren und mehr.
  • Industrieausrüstung: EV-Ladestationen, V2X-Systeme, AC-Servos, Server-Netzteile, PV-Wechselrichter, Stromaufbereiter usw.

Produktdetails

 
Teilenummer | BST70T2P4K01-VC
Status | Empfohlen
Gehäuse | HSDIP20
Gehäusetyp | Corrugated Cardboard
Einheitenmenge | 180
Minimale Gehäusemenge | 60
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

70

Total Power Dissipation[W]

385

Junction Temperature (Max.) [℃]

175

Storage Temperature (Min.) [℃]

-40

Storage Temperature (Max.) [℃]

125

Package

3-Phase-bridge

Package Size [mm]

38.0x31.3 (t=3.5)

Common Standard

AQG 324 (Automotive Grade)

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Eigenschaften:

  • HSDIP20-Gehäuse mit SiC-MOSFET der 4. Generation
  • VDSS = 1200V
  • Niedriger RDS(on)
  • Hochgeschwindigkeitsschaltung möglich
  • Geringe Schaltverluste
  • Tvjmax = 175°C
  • Kompaktes Design
  • Mit hochwärmeleitender Isolation
  • Integrierter NTC-Temperatursensor
  • 4,2kV AC 1s Isolierung

Referenzdesign / Anwendungsevaluierungskit

 
    • Reference Design - REF68005
    • Evaluation Kit for a 3-phase Inverter (kW-class) using HSDIP20
    • The HSDIP20 is a SiC-MOSFET module designed to operate with several kW to tens of kW of power. This evaluation kit uses the HSDIP20 for a several kW three-phase inverter.

      *This design provides design information only.

Produktvideo & Katalog

 
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