ROHM Product Detail

BST91B1P4K01-VC (Neues Produkt)
HSDIP20, 750V, 90A, Vollbrücke, Automotive/Industrial Grade SiC Leistungsmodul

Der BST91B1P4K01 ist ein Hochleistungs-SiC-Modul mit 750 V Nennspannung, das mit einer 4-in-1-Struktur ideal für PFC- und LLC-Schaltungen in Bordladegeräten (OBCs) entwickelt wurde. HSDIP20 verfügt über ein isolierendes Substrat mit hervorragenden Wärmeableitungseigenschaften. Dies trägt dazu bei, eine stabile Chiptemperatur auch unter Hochleistungsbedingungen aufrechtzuerhalten, was eine hohe Strombelastbarkeit in einem kompakten Formfaktor ermöglicht. Im Vergleich zu oben gekühlten diskreten Bauelementen liefert es mehr als die dreifache Leistungsdichte und das 1,4-fache der anderer DIP-Module. In PFC-Anwendungen kann es die Montagefläche um etwa 52 % reduzieren, was erheblich zur Miniaturisierung von Leistungswandlungsschaltungen in Anwendungen wie OBCs beiträgt. Da die wesentlichen Leistungswandlungsschaltungen im Modul integriert sind, reduziert es den Designaufwand und ermöglicht die Miniaturisierung von Leistungswandlungsschaltungen in OBCs und anderen Anwendungen. Als Schlüssellösung für Automobilsysteme der nächsten Generation unterstützt es die Entwicklung von leistungsstarken, kompakten elektrischen Antriebssträngen.

Anwendungsbeispiele

  • Automobilsysteme: Bordladegeräte, elektrische Kompressoren und mehr.
  • Industrielle Ausrüstung: EV-Ladestationen, V2X-Systeme, AC-Servos, Server-Netzteile, PV-Wechselrichter, Stromaufbereiter usw.

Produktdetails

 
Teilenummer | BST91B1P4K01-VC
Status | Empfohlen
Gehäuse | HSDIP20
Gehäusetyp | Corrugated Cardboard
Einheitenmenge | 180
Minimale Gehäusemenge | 60
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

750

Drain Current[A]

90

Total Power Dissipation[W]

385

Junction Temperature (Max.) [℃]

175

Storage Temperature (Min.) [℃]

-40

Storage Temperature (Max.) [℃]

125

Package

Full-bridge

Package Size [mm]

38.0x31.3 (t=3.5)

Common Standard

AQG 324 (Automotive Grade)

Find Similar

Eigenschaften:

  • HSDIP20-Gehäuse mit dem SiC-MOSFET der 4. Generation
  • VDSS = 750V
  • Niedriger RDS(on)
  • Hochgeschwindigkeits-Schaltung möglich
  • Niedrige Schaltverluste
  • Tvjmax = 175°C
  • Kompaktes Design
  • Isolierung mit hoher Wärmeleitfähigkeit
  • Integrierter NTC-Temperatursensor
  • 4,2kV AC 1s Isolierung

Produktvideo & Katalog

 
Loading...
X

Most Viewed