ROHM Product Detail

BST91T1P4K01-VC (Neues Produkt)
HSDIP20, 750 V, 90 A, 3-Phasen-Brücke, SiC-Leistungsmodul für Automotive/Industrial Grade

Der BST91T1P4K01 ist ein SiC-Formmodul mit hoher Leistung, ausgelegt für 750 V, mit einer 6-in-1-Struktur, ideal für PFC- und LLC-Schaltungen in Onboard-Ladegeräten (OBCs). HSDIP20 verfügt über ein isolierendes Substrat mit hervorragenden Wärmeleiteigenschaften. Dies hilft, eine stabile Chiptemperatur auch unter hohen Leistungsbedingungen aufrechtzuerhalten, was eine hohe Strombelastbarkeit in einem kompakten Formfaktor ermöglicht. Im Vergleich zu oben gekühlten diskreten Bauteilen liefert es mehr als die dreifache Leistungsdichte – und das 1,4-fache anderer DIP-Module. In PFC-Anwendungen kann die Montagefläche um etwa 52 % reduziert werden, was erheblich zur Miniaturisierung von Leistungswandlerschaltungen in Anwendungen wie OBCs beiträgt. Mit wesentlichen Leistungswandlerschaltungen, die im Modul integriert sind, reduziert es den Designaufwand und ermöglicht die Miniaturisierung von Leistungswandlerschaltungen in OBCs und anderen Anwendungen. Als Schlüssellösung für Automobilsysteme der nächsten Generation unterstützt es die Entwicklung von leistungsstarken, kompakten elektrischen Antriebssträngen.

Anwendungsbeispiele

  • Automotive Systeme: Onboard-Ladegeräte, elektrische Kompressoren und mehr.
  • Industrieausrüstung: EV-Ladestationen, V2X-Systeme, AC-Servos, Servernetzteile, PV-Wechselrichter, Leistungskonditionierer usw.

Produktdetails

 
Teilenummer | BST91T1P4K01-VC
Status | Empfohlen
Gehäuse | HSDIP20
Gehäusetyp | Corrugated Cardboard
Einheitenmenge | 180
Minimale Gehäusemenge | 60
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

750

Drain Current[A]

90

Total Power Dissipation[W]

385

Junction Temperature (Max.) [℃]

175

Storage Temperature (Min.) [℃]

-40

Storage Temperature (Max.) [℃]

125

Package

3-Phase-bridge

Package Size [mm]

38.0x31.3 (t=3.5)

Common Standard

AQG 324 (Automotive Grade)

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Eigenschaften:

  • HSDIP20-Gehäuse mit SiC-MOSFET der 4. Generation
  • VDSS = 750V
  • Geringer RDS(on)
  • Hochgeschwindigkeits-Schalten möglich
  • Geringe Schaltverluste
  • Tvjmax = 175°C
  • Kompaktes Design
  • Mit hochwärmeleitender Isolation
  • Integrierter NTC-Temperatursensor
  • 4,2kV AC 1s Isolation

Produktvideo & Katalog

 
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