BST91T1P4K01-VC (Neues Produkt)
HSDIP20, 750 V, 90 A, 3-Phasen-Brücke, SiC-Leistungsmodul für Automotive/Industrial Grade
BST91T1P4K01-VC (Neues Produkt)
HSDIP20, 750 V, 90 A, 3-Phasen-Brücke, SiC-Leistungsmodul für Automotive/Industrial Grade
Der BST91T1P4K01 ist ein SiC-Formmodul mit hoher Leistung, ausgelegt für 750 V, mit einer 6-in-1-Struktur, ideal für PFC- und LLC-Schaltungen in Onboard-Ladegeräten (OBCs). HSDIP20 verfügt über ein isolierendes Substrat mit hervorragenden Wärmeleiteigenschaften. Dies hilft, eine stabile Chiptemperatur auch unter hohen Leistungsbedingungen aufrechtzuerhalten, was eine hohe Strombelastbarkeit in einem kompakten Formfaktor ermöglicht. Im Vergleich zu oben gekühlten diskreten Bauteilen liefert es mehr als die dreifache Leistungsdichte – und das 1,4-fache anderer DIP-Module. In PFC-Anwendungen kann die Montagefläche um etwa 52 % reduziert werden, was erheblich zur Miniaturisierung von Leistungswandlerschaltungen in Anwendungen wie OBCs beiträgt. Mit wesentlichen Leistungswandlerschaltungen, die im Modul integriert sind, reduziert es den Designaufwand und ermöglicht die Miniaturisierung von Leistungswandlerschaltungen in OBCs und anderen Anwendungen. Als Schlüssellösung für Automobilsysteme der nächsten Generation unterstützt es die Entwicklung von leistungsstarken, kompakten elektrischen Antriebssträngen.Anwendungsbeispiele
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
750
Drain Current[A]
90
Total Power Dissipation[W]
385
Junction Temperature (Max.) [℃]
175
Storage Temperature (Min.) [℃]
-40
Storage Temperature (Max.) [℃]
125
Package
3-Phase-bridge
Package Size [mm]
38.0x31.3 (t=3.5)
Common Standard
AQG 324 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- HSDIP20-Gehäuse mit SiC-MOSFET der 4. Generation
- VDSS = 750V
- Geringer RDS(on)
- Hochgeschwindigkeits-Schalten möglich
- Geringe Schaltverluste
- Tvjmax = 175°C
- Kompaktes Design
- Mit hochwärmeleitender Isolation
- Integrierter NTC-Temperatursensor
- 4,2kV AC 1s Isolation