S6305
1200V, 50A, Siliziumkarbid- (SiC-) SBD Bare Die

Der S6305 ist eine epitaktisch planare SiC- (Siliziumkarbid-) Schottky-Diode Reduzierte Schaltverluste, ermöglicht schnelles Schalten.
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Produktdetails

 
Teilenummer | S6305
Status | Aktiv
Gehäuse |
Einheitenmenge |
Minimale Gehäusemenge |
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Reverse Voltage[V]

1200

Continuous Forward Current[A]

50

Generation

2nd Gen

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

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Eigenschaften:

· Kürzere Erholzeit
· Geringere Temperaturabhängigkeit
· High-Speed-Schaltung möglich
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