SCS212AJ
SiC-Schottky-Diode

Reduzierte Schaltverluste, Schnellschaltung ermöglicht. (4-Pin-Gehäuse)

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Produktdetails

 
Teilenummer | SCS212AJTLL
Status | Aktiv
Gehäuse | TO-263AB (LPTL)
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Reverse Voltage[V]

650

Continuous Forward Current[A]

12

Generation

2nd Gen

Total Power Dissipation[W]

88

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

10.1x9 (t=4.7)

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Eigenschaften:

・Kürzere Wiederherstellungszeit
・Geringere Temperaturabhängigkeit
・Umschalten mit Höchstgeschwindigkeit möglich

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