SCS212AJ
SiC-Schottky-Diode
SCS212AJ
SCS212AJ
SiC-Schottky-Diode
Reduzierte Schaltverluste, Schnellschaltung ermöglicht. (4-Pin-Gehäuse)
Data Sheet
Kaufen
*
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Teilenummer | SCS212AJTLL
Status |
Aktiv
Gehäuse |
LPTL
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
RoHS |
Ja
Spezifikationen:
Grade
Standard
Reverse Voltage[V]
650
Continuous Forward Current[A]
12
Generation
2nd Gen
Total Power Dissipation[W]
88
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.1x10.1 (t=4.7)
Eigenschaften:
・Kürzere Wiederherstellungszeit・Geringere Temperaturabhängigkeit
・Umschalten mit Höchstgeschwindigkeit möglich
.jpg)
Produktvideo & Katalog
Produktvideo-Übersicht
Wide Creepage Distance Package SiC Schottky Barrier Diodes - SCS2xxAN (650V), SCS2xxKN (1,200V)
2024-11-12 00:00:00.0
( 1.09 MB )
The SCS2xxAN (650V) and SCS2xxKN (1,200V) series of SiC Schottky barrier diodes achieve wide creepage distance in a compact surface mount package. This reduces the need for special insulation measures such as potting.
The SCS2xxAN (650V) and SCS2xxKN (1,200V) series of SiC Schottky barrier diodes achieve wide creepage distance in a compact surface mount package. This reduces the need for special insulation measures such as potting.