SCS212AJ
SiC-Schottky-Diode
SCS212AJ
SCS212AJ
SiC-Schottky-Diode
Reduzierte Schaltverluste, Schnellschaltung ermöglicht. (4-Pin-Gehäuse)
Data Sheet
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Produktdetails
Teilenummer | SCS212AJTLL
Status |
Aktiv
Gehäuse |
LPTL
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
RoHS |
Ja
Spezifikationen:
Grade
Standard
Reverse Voltage[V]
650
Continuous Forward Current[A]
12
Generation
2nd Gen
Total Power Dissipation[W]
88
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.1x10.1 (t=4.7)
Eigenschaften:
・Kürzere Wiederherstellungszeit・Geringere Temperaturabhängigkeit
・Umschalten mit Höchstgeschwindigkeit möglich
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