Für neue Designs nicht empfohlen
SCS215AG
SiC-Schottky-Diode
SCS215AG
Für neue Designs nicht empfohlen
SCS215AG
SiC-Schottky-Diode
Produkte, die nicht für neue Designs verwendet werden können (Nicht empfohlen für Designabweichungen).
Produktdetails
Teilenummer | SCS215AGC17
Status |
Für neue Designs nicht empfohlen
Gehäuse |
TO-220ACG
Gehäusetyp | Tube
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 50
RoHS |
Ja
Spezifikationen:
Grade
Standard
Reverse Voltage[V]
650
Continuous Forward Current[A]
15
Generation
2nd Gen
Total Power Dissipation[W]
110
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.3x10.05 (t=4.48)
Eigenschaften:
・Kürzere Wiederherstellungszeit・Geringere Temperaturabhängigkeit
・Umschalten mit Höchstgeschwindigkeit möglich
Produktvideo & Katalog
Produktvideo-Übersicht
Wide Creepage Distance Package SiC Schottky Barrier Diodes - SCS2xxAN (650V), SCS2xxKN (1,200V)
2024-11-12 00:00:00.0
( 1.09 MB )
The SCS2xxAN (650V) and SCS2xxKN (1,200V) series of SiC Schottky barrier diodes achieve wide creepage distance in a compact surface mount package. This reduces the need for special insulation measures such as potting.
The SCS2xxAN (650V) and SCS2xxKN (1,200V) series of SiC Schottky barrier diodes achieve wide creepage distance in a compact surface mount package. This reduces the need for special insulation measures such as potting.