SCS302AH
650 V, 2 A, THD, Siliziumkarbid- (SiC-) SBD mit hoher Stoßspannungsfestigkeit

Die kürzere Erholungszeit ermöglicht schnelles Schalten.

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Produktdetails

 
Teilenummer | SCS302AHGC9
Status | Aktiv
Gehäuse | TO-220ACP
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 50
Gehäusetyp | Tube
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Reverse Voltage[V]

650

Continuous Forward Current[A]

2.0

Generation

3rd Gen

Total Power Dissipation[W]

22

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

10.2x15.6 (t=4.7)

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Eigenschaften:

  • Shorter recovery time
  • Reduced temperature dependence
  • High-speed switching possible
  • High surge current capability