Für neue Designs nicht empfohlen
SCS306AH
650 V, 6 A, THD, Siliziumkarbid- (SiC-) SBD mit hoher Stoßspannungsfestigkeit
SCS306AH
Für neue Designs nicht empfohlen
SCS306AH
650 V, 6 A, THD, Siliziumkarbid- (SiC-) SBD mit hoher Stoßspannungsfestigkeit
Produkte, die nicht für neue Designs verwendet werden können (Nicht empfohlen für Designabweichungen).
Produktdetails
Teilenummer | SCS306AHGC9
Status |
Für neue Designs nicht empfohlen
Gehäuse |
TO-220ACP
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 50
Gehäusetyp | Tube
RoHS |
Ja
Spezifikationen:
Grade
Standard
Reverse Voltage[V]
650
Continuous Forward Current[A]
6
Generation
3rd Gen
Total Power Dissipation[W]
46
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
10.2x15.6 (t=4.7)
Eigenschaften:
- Shorter recovery time
- Reduced temperature dependence
- High-speed switching possible
- High surge current capability
