650 V, 6 A, THD, Siliziumkarbid- (SiC-) SBD mit hoher Stoßspannungsfestigkeit - SCS306AH

Die kürzere Erholungszeit ermöglicht schnelles Schalten.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | SCS306AHGC9
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-220ACP
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 50
Gehäusetyp | Tube
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Reverse Voltage[V]

650

Continuous Forward Current[A]

6.0

Total Power Dissipation[W]

46

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Eigenschaften:

  • Shorter recovery time
  • Reduced temperature dependence
  • High-speed switching possible
  • High surge current capability