Für neue Designs nicht empfohlen
SCS308AH
650 V, 8 A, THD, Siliziumkarbid- (SiC-) SBD mit hoher Stoßspannungsfestigkeit
SCS308AH
Für neue Designs nicht empfohlen
SCS308AH
650 V, 8 A, THD, Siliziumkarbid- (SiC-) SBD mit hoher Stoßspannungsfestigkeit
Produkte, die nicht für neue Designs verwendet werden können (Nicht empfohlen für Designabweichungen).
Produktdetails
Teilenummer | SCS308AHGC9
Status |
Für neue Designs nicht empfohlen
Gehäuse |
TO-220ACP
Gehäusetyp | Tube
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 50
RoHS |
Ja
Spezifikationen:
Grade
Standard
Reverse Voltage[V]
650
Continuous Forward Current[A]
8
Generation
3rd Gen
Total Power Dissipation[W]
57
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.6x10.2 (t=4.7)
Eigenschaften:
- Shorter recovery time
- Reduced temperature dependence
- High-speed switching possible
- High surge current capability
Produktvideo & Katalog
Produktvideo-Übersicht
Wide Creepage Distance Package SiC Schottky Barrier Diodes - SCS2xxAN (650V), SCS2xxKN (1,200V)
2024-11-12 00:00:00.0
( 1.09 MB )
The SCS2xxAN (650V) and SCS2xxKN (1,200V) series of SiC Schottky barrier diodes achieve wide creepage distance in a compact surface mount package. This reduces the need for special insulation measures such as potting.
The SCS2xxAN (650V) and SCS2xxKN (1,200V) series of SiC Schottky barrier diodes achieve wide creepage distance in a compact surface mount package. This reduces the need for special insulation measures such as potting.