PNP-Transistor hohe hFE - 2SB1427

Verschiedene Produkte werden in Produktreihen angeboten mit dem Fokus auf Aspekten wie Energieeinsparung und Zuverlässigkeit als die wesentlichen Konzepte, wobei die Gehäuse von ultrakompakten Typen bis zu Leistungstypen reichen, um die Anforderungen des Marktes zu erfüllen.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | 2SB1427T100
Status | Aktiv
Gehäuse | MPT3
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOT-89

JEITA Package

SC-62

Package Size[mm]

4.5x4.0 (t=1.5)

Number of terminal

3

Polarity

PNP

Collector Power dissipation PC[W]

0.5

Collector-Emitter voltage VCEO1[V]

-20.0

Collector current Io(Ic) [A]

-2.0

hFE

390 to 820

hFE (Min.)

390

hFE (Max.)

820

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· Für hohe Stromverstärkung (hFE)
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform