2SB1427
PNP-Transistor hohe hFE

Verschiedene Produkte werden in Produktreihen angeboten mit dem Fokus auf Aspekten wie Energieeinsparung und Zuverlässigkeit als die wesentlichen Konzepte, wobei die Gehäuse von ultrakompakten Typen bis zu Leistungstypen reichen, um die Anforderungen des Marktes zu erfüllen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | 2SB1427T100
Status | Aktiv
Gehäuse | MPT3
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOT-89

Package Size [mm]

4.5x4 (t=1.5)

JEITA Package

SC-62

Number of terminal

3

Polarity

PNP

Collector Power dissipation PC[W]

0.5

Collector-Emitter voltage VCEO1[V]

-20

Collector current Io(Ic) [A]

-2

hFE

390 to 820

hFE (Min.)

390

hFE (Max.)

820

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

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Eigenschaften:

· Für hohe Stromverstärkung (hFE)
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