BC858BW
PNP-Universal-Verstärkungstransistor

Verschiedene Produkte werden in Produktreihen angeboten mit dem Fokus auf Aspekten wie Energieeinsparung und Zuverlässigkeit als die wesentlichen Konzepte, wobei die Gehäuse von ultrakompakten Typen bis zu Leistungstypen reichen, um die Anforderungen des Marktes zu erfüllen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | BC858BWT106
Status | Aktiv
Gehäuse | UMT3
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOT-323

JEITA Package

SC-70

Package Size[mm]

2.0x2.1(t=0.9)

Number of terminal

3

Polarity

PNP

Collector Power dissipation PC[W]

0.2

Collector-Emitter voltage VCEO1[V]

-30.0

Collector current Io(Ic) [A]

-0.1

hFE

210 to 480

hFE (Min.)

210

hFE (Max.)

480

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-65

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· Universell einsetzbar
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
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Technische Artikel

Schematic Design & Verification

  • Temperature derating method for Safe Operating Area (SOA)
  • Calculation of Power Dissipation in Switching Circuit
  • Method for Monitoring Switching Waveform
  • Importance of Probe Calibration When Measuring Power: Deskew
  • Impedance Characteristics of Bypass Capacitor

Thermal Design

  • Two-Resistor Model for Thermal Simulation
  • Notes for Temperature Measurement Using Thermocouples
  • What is a Thermal Model? (Transistor)
  • Notes for Temperature Measurement Using Forward Voltage of PN Junction
  • Measurement Method and Usage of Thermal Resistance RthJC
  • Precautions When Measuring the Rear of the Package with a Thermocouple

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