EMX26
NPN+NPN-Transistor hohe hFE und Stummschaltung

Geräte mit zwei integrierten Transistoren sind in extrem kompakten Gehäusen verfügbar. Sie sind für verschiedene Anwendungen geeignet wie beispielsweise für differentielle Vorverstärker-Verstärkungsschaltungen, Hochfrequenz-Oszillatoren, Treiber-ICs usw.

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Produktdetails

 
Teilenummer | EMX26T2R
Status | Aktiv
Gehäuse | EMT6
Einheitenmenge | 8000
Minimale Gehäusemenge | 8000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

SOT-563

JEITA Package

SC-107C

Number of terminal

6

Polarity

NPN+NPN

Collector-Emitter voltage VCEO1[V]

50

Collector current Io(Ic) [A]

0.15

Collector-Emitter voltage VCEO2[V]

50

Collector current(continuous) IC2[A]

0.15

hFE

820 to 2700

hFE (Min.)

820

hFE (Max.)

2700

Mounting Style

Surface mount

Equivalent (Single Part)

2SD2654 / 2SD2654

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

1.6x1.6 (t=0.55)

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