PNP+NPN-Universal-Verstärkungstransistor - EMY1

Geräte mit zwei integrierten Transistoren sind in extrem kompakten Gehäusen verfügbar. Sie sind für verschiedene Anwendungen geeignet wie beispielsweise für differentielle Vorverstärker-Verstärkungsschaltungen, Hochfrequenz-Oszillatoren, Treiber-ICs usw.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | EMY1T2R
Status | Empfohlen
Gehäuse | EMT5
Einheitenmenge | 8000
Minimale Gehäusemenge | 8000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOT-553

JEITA Package

SC-107BB

Package Size[mm]

1.6x1.6 (t=0.5)

Number of terminal

5

Polarity

NPN+PNP

Collector-Emitter voltage VCEO1[V]

50.0

Collector current Io(Ic) [A]

0.15

Collector-Emitter voltage VCEO2[V]

-50.0

Collector current(continuous) IC2[A]

-0.15

hFE

120 to

hFE (Min.)

120

Mounting Style

Surface mount

Equivalent (Single Part)

2SA1037AK / 2SC2412K

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· Ultrakompakter komplexer Bipolartransistor
· Universell einsetzbar
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform