EMZ8

PNP-Transistor niedriges VCE(sat) + NPN-Universal-Verstärkungstransistor
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EMZ8

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PNP-Transistor niedriges VCE(sat) + NPN-Universal-Verstärkungstransistor

Geräte mit zwei integrierten Transistoren sind in extrem kompakten Gehäusen verfügbar. Sie sind für verschiedene Anwendungen geeignet wie beispielsweise für differentielle Vorverstärker-Verstärkungsschaltungen, Hochfrequenz-Oszillatoren, Treiber-ICs usw.

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Produktdetails

 
Teilenummer | EMZ8T2R
Status | Aktiv
Gehäuse | EMT6
Einheitenmenge | 8000
Minimale Gehäusemenge | 8000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

SOT-563

JEITA Package

SC-107C

Number of terminal

6

Polarity

NPN+PNP

Collector-Emitter voltage VCEO1[V]

50

Collector current Io(Ic) [A]

0.15

Collector-Emitter voltage VCEO2[V]

-12

Collector current(continuous) IC2[A]

-0.5

hFE

120 to 680

hFE (Min.)

120

hFE (Max.)

680

Mounting Style

Surface mount

Equivalent (Single Part)

2SA2018 / 2SC2412K

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

1.6x1.6 (t=0.55)

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