EMZ8
PNP-Transistor niedriges VCE(sat) + NPN-Universal-Verstärkungstransistor
EMZ8
PNP-Transistor niedriges VCE(sat) + NPN-Universal-Verstärkungstransistor
Geräte mit zwei integrierten Transistoren sind in extrem kompakten Gehäusen verfügbar. Sie sind für verschiedene Anwendungen geeignet wie beispielsweise für differentielle Vorverstärker-Verstärkungsschaltungen, Hochfrequenz-Oszillatoren, Treiber-ICs usw.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOT-563
JEITA Package
SC-107C
Number of terminal
6
Polarity
NPN+PNP
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]
50
Collector current Io(Ic) [A]
0.15
Collector-Emitter voltage VCEO2[V]
-12
Collector current(continuous) IC2[A]
-0.5
hFE
120 to 680
hFE (Min.)
120
hFE (Max.)
680
Mounting Style
Surface mount
Equivalent (Single Part)
2SA2018 / 2SC2412K
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
1.6x1.6 (t=0.55)
Eigenschaften:
· Ultrakompakter komplexer Bipolartransistor· Für Vorverstärker
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
