PNP-Transistor niedriges VCE(sat) + NPN-Universal-Verstärkungstransistor - EMZ8

Geräte mit zwei integrierten Transistoren sind in extrem kompakten Gehäusen verfügbar. Sie sind für verschiedene Anwendungen geeignet wie beispielsweise für differentielle Vorverstärker-Verstärkungsschaltungen, Hochfrequenz-Oszillatoren, Treiber-ICs usw.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | EMZ8T2R
Status | Aktiv
Gehäuse | EMT6
Einheitenmenge | 8000
Minimale Gehäusemenge | 8000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOT-563

JEITA Package

SC-107C

Package Size[mm]

1.6x1.6 (t=0.5)

Number of terminal

6

Polarity

NPN+PNP

Collector-Emitter voltage VCEO1[V]

50.0

Collector current Io(Ic) [A]

0.15

Collector-Emitter voltage VCEO2[V]

-12.0

Collector current(continuous) IC2[A]

-0.5

hFE

120 to 680

hFE (Min.)

120

hFE (Max.)

680

Mounting Style

Surface mount

Equivalent (Single Part)

2SA2018 / 2SC2412K

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· Ultrakompakter komplexer Bipolartransistor
· Für Vorverstärker
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform