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PNP+PNP-Transistor niedriges VCE(sat) - IMT18

Geräte mit zwei integrierten Transistoren sind in extrem kompakten Gehäusen verfügbar. Sie sind für verschiedene Anwendungen geeignet wie beispielsweise für differentielle Vorverstärker-Verstärkungsschaltungen, Hochfrequenz-Oszillatoren, Treiber-ICs usw.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer | IMT18T110
Status | Active
Gehäuse | SMT6
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOT-457

JEITA Package

SC-74

Package Size[mm]

2.9x2.8(t=1.1)

Number of terminal

6

Polarity

PNP+PNP

Collector-Emitter voltage VCEO1[V]

-12.0

Collector current(continuous) IC1[A]

-0.5

Collector-Emitter voltage VCEO2[V]

-12.0

Collector current(continuous) IC2[A]

-0.5

hFE

270 to 680

hFE (Min.)

270

hFE (Max.)

680

Mounting Style

Surface mount

Equivalent (Single Part)

2SA2018 / 2SA2018

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· Ultrakompakter komplexer Bipolartransistor
· Für Vorverstärker
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform