NPN+NPN-Transistor hohe hFE und Stummschaltung - IMX25

Geräte mit zwei integrierten Transistoren sind in extrem kompakten Gehäusen verfügbar. Sie sind für verschiedene Anwendungen geeignet wie beispielsweise für differentielle Vorverstärker-Verstärkungsschaltungen, Hochfrequenz-Oszillatoren, Treiber-ICs usw.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | IMX25T110
Status | Aktiv
Gehäuse | SMT6
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOT-457

JEITA Package

SC-74

Package Size[mm]

2.9x2.8 (t=1.1)

Number of terminal

6

Polarity

NPN+NPN

Collector-Emitter voltage VCEO1[V]

20.0

Collector current Io(Ic) [A]

0.3

Collector-Emitter voltage VCEO2[V]

20.0

Collector current(continuous) IC2[A]

0.3

hFE

820 to 2700

hFE (Min.)

820

hFE (Max.)

2700

Mounting Style

Surface mount

Equivalent (Single Part)

2SD2704K / 2SD2704K

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· Ultrakompakter komplexer Bipolartransistor
· Für Vorverstärker
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform