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NPN+NPN-Treibertransistor - QS5W1

Geräte mit zwei integrierten Transistoren sind in extrem kompakten Gehäusen verfügbar. Sie sind für verschiedene Anwendungen geeignet wie beispielsweise für differentielle Vorverstärker-Verstärkungsschaltungen, Hochfrequenz-Oszillatoren, Treiber-ICs usw.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer | QS5W1TR
Status | Active
Gehäuse | TSMT5
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOT-25T

Package Size[mm]

2.9x2.8(t=1.0Max.)

Number of terminal

5

Polarity

NPN+NPN

Collector-Emitter voltage VCEO1[V]

30.0

Collector current(continuous) IC1[A]

3.0

hFE

200 to 500

hFE (Min.)

200

hFE (Max.)

500

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· Kompakter komplexer Leistungsbipolartransistor
· Für DC/DC-Wandler
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform