Für neue Designs nicht empfohlen
UML4N
PNP-Transistor niedriges VCE(sat) + Schottky-Diode
UML4N
Für neue Designs nicht empfohlen
UML4N
PNP-Transistor niedriges VCE(sat) + Schottky-Diode
Produkte, die nicht für neue Designs verwendet werden können (Nicht empfohlen für Designabweichungen).
Produktdetails
Teilenummer | UML4NTR
Status |
Für neue Designs nicht empfohlen
Gehäuse |
UMT5
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS |
Ja
Spezifikationen:
Package Code
SOT-353
JEITA Package
SC-88A
Number of terminal
5
Polarity
PNP+Di
Collector Power dissipation PC[W]
0.12
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]
-12
Collector current Io(Ic) [A]
-0.5
hFE
270 to 680
hFE (Min.)
270
hFE (Max.)
680
Reverse voltage VR (Diode) [V]
30
Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]
1
Mounting Style
Surface mount
Equivalent (Single Part)
2SA2018 / RB521S-30
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
125
Package Size [mm]
2x2.1 (t=1)
Eigenschaften:
· Ultrakompakter komplexer Bipolartransistor· Für DC/DC-Wandler
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
