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PNP-Transistor niedriges VCE(sat) + Schottky-Diode - UML4N

Geräte mit zwei integrierten Transistoren sind in extrem kompakten Gehäusen verfügbar. Sie sind für verschiedene Anwendungen geeignet wie beispielsweise für differentielle Vorverstärker-Verstärkungsschaltungen, Hochfrequenz-Oszillatoren, Treiber-ICs usw.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer | UML4NTR
Status | Active
Gehäuse | UMT5
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOT-353

JEITA Package

SC-88A

Package Size[mm]

2.0x2.1(t=0.9)

Number of terminal

5

Polarity

PNP+Di

Collector-Emitter voltage VCEO1[V]

-12.0

Collector current(continuous) IC1[A]

-0.5

Collector Power dissipation PC[W]

0.12

hFE

270 to 680

hFE (Min.)

270

hFE (Max.)

680

Reverse voltage VR (Diode) [V]

30.0

Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]

1.0

Mounting Style

Surface mount

Equivalent (Single Part)

2SA2018 / RB521S-30

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

125

Eigenschaften:

· Ultrakompakter komplexer Bipolartransistor
· Für DC/DC-Wandler
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform