UMT1N
PNP+PNP-Universal-Verstärkungstransistor

Geräte mit zwei integrierten Transistoren sind in extrem kompakten Gehäusen verfügbar. Sie sind für verschiedene Anwendungen geeignet wie beispielsweise für differentielle Vorverstärker-Verstärkungsschaltungen, Hochfrequenz-Oszillatoren, Treiber-ICs usw.

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Produktdetails

 
Teilenummer | UMT1NTN
Status | Empfohlen
Gehäuse | UMT6
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOT-363

Package Size [mm]

2x2.1 (t=1)

JEITA Package

SC-88

Number of terminal

6

Polarity

PNP+PNP

Collector-Emitter voltage VCEO1[V]

-50.0

Collector current Io(Ic) [A]

-0.15

Collector-Emitter voltage VCEO2[V]

-50.0

Collector current(continuous) IC2[A]

-0.15

hFE

120 to

hFE (Min.)

120

Mounting Style

Surface mount

Equivalent (Single Part)

2SA1037AK / 2SA1037AK

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· Ultrakompakter komplexer Bipolartransistor
· Für Vorverstärker
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform

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Design Tools

Models

2D/3D/CAD

  • UMT6 STEP Data

Characteristics Data