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UMT1N
UMT1N
PNP+PNP-Universal-Verstärkungstransistor
Geräte mit zwei integrierten Transistoren sind in extrem kompakten Gehäusen verfügbar. Sie sind für verschiedene Anwendungen geeignet wie beispielsweise für differentielle Vorverstärker-Verstärkungsschaltungen, Hochfrequenz-Oszillatoren, Treiber-ICs usw.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Grade
Standard
Package Code
SOT-363
Package Size [mm]
2x2.1 (t=1)
JEITA Package
SC-88
Number of terminal
6
Polarity
PNP+PNP
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]
-50.0
Collector current Io(Ic) [A]
-0.15
Collector-Emitter voltage VCEO2[V]
-50.0
Collector current(continuous) IC2[A]
-0.15
hFE
120 to
hFE (Min.)
120
Mounting Style
Surface mount
Equivalent (Single Part)
2SA1037AK / 2SA1037AK
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Eigenschaften:
· Ultrakompakter komplexer Bipolartransistor· Für Vorverstärker
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
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Technische Artikel
Schematic Design & Verification
Thermal Design
- What Is Thermal Design
- Basics of Thermal Resistance and Heat Dissipation
- Method for Calculating Junction Temperature from Transient Thermal Resistance Data
- Notes for Temperature Measurement Using Thermocouples
- Two-Resistor Model for Thermal Simulation
- Notes for Temperature Measurement Using Forward Voltage of PN Junction
- What is a Thermal Model? (Transistor)
- Measurement Method and Usage of Thermal Resistance RthJC
- Precautions When Measuring the Rear of the Package with a Thermocouple
Design Tools
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