PNP+PNP-Universal-Verstärkungstransistor - UMT1N

Geräte mit zwei integrierten Transistoren sind in extrem kompakten Gehäusen verfügbar. Sie sind für verschiedene Anwendungen geeignet wie beispielsweise für differentielle Vorverstärker-Verstärkungsschaltungen, Hochfrequenz-Oszillatoren, Treiber-ICs usw.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | UMT1NTN
Status | Empfohlen
Gehäuse | UMT6
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOT-363

JEITA Package

SC-88

Package Size[mm]

2.0x2.1 (t=0.9)

Number of terminal

6

Polarity

PNP+PNP

Collector-Emitter voltage VCEO1[V]

-50.0

Collector current Io(Ic) [A]

-0.15

Collector-Emitter voltage VCEO2[V]

-50.0

Collector current(continuous) IC2[A]

-0.15

hFE

120 to

hFE (Min.)

120

Mounting Style

Surface mount

Equivalent (Single Part)

2SA1037AK / 2SA1037AK

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· Ultrakompakter komplexer Bipolartransistor
· Für Vorverstärker
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform