PNP-Transistor niedriges VCE(sat) + NPN-Digitaltransistor - EMF5
Geräte mit zwei integrierten Transistoren sind in extrem kompakten Gehäusen verfügbar. Sie sind für verschiedene Anwendungen geeignet wie beispielsweise für differentielle Vorverstärker-Verstärkungsschaltungen, Hochfrequenz-Oszillatoren, Treiber-ICs usw.
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
×
Spezifikationen:
Grade
Standard
Package Code
SOT-563
JEITA Package
SC-107C
Package Size[mm]
1.6x1.6 (t=0.5)
Number of terminal
6
Polarity
BIP_PNP+DTR_NPN
Supply voltage VCC 1[V]
50.0
Collector current IC 1[A]
0.1
Input resistance R1 1[kΩ]
47.0
Emitter base Resistance R2 1[kΩ]
47.0
hFE
68 to
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]
-12.0
Collector current Io(Ic) [A]
-0.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Eigenschaften:
· Ultrakompakter komplexer Bipolartransistor· Integrierte Vorspannungswiderstände
· Für die Energieverwaltung
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform