EMF5
PNP-Transistor niedriges VCE(sat) + NPN-Digitaltransistor

Geräte mit zwei integrierten Transistoren sind in extrem kompakten Gehäusen verfügbar. Sie sind für verschiedene Anwendungen geeignet wie beispielsweise für differentielle Vorverstärker-Verstärkungsschaltungen, Hochfrequenz-Oszillatoren, Treiber-ICs usw.

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Produktdetails

 
Teilenummer | EMF5T2R
Status | Aktiv
Gehäuse | EMT6
Einheitenmenge | 8000
Minimale Gehäusemenge | 8000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOT-563

Package Size [mm]

1.6x1.6 (t=0.55)

JEITA Package

SC-107C

Number of terminal

6

Polarity

BIP_PNP+DTR_NPN

Supply voltage VCC 1[V]

50.0

Collector current IC 1[A]

0.1

Input resistance R1 1[kΩ]

47.0

Emitter base Resistance R2 1[kΩ]

47.0

hFE

68 to

Collector-Emitter voltage VCEO1[V]

-12.0

Collector current Io(Ic) [A]

-0.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· Ultrakompakter komplexer Bipolartransistor
· Integrierte Vorspannungswiderstände
· Für die Energieverwaltung
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
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Models

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  • EMT6 STEP Data

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