UMD3N
PNP+NPN-Digitaltransistor (mit integrierten Widerständen)

Geräte mit zwei integrierten Transistoren sind in extrem kompakten Gehäusen verfügbar. Sie sind für verschiedene Anwendungen geeignet wie beispielsweise für differentielle Vorverstärker-Verstärkungsschaltungen, Hochfrequenz-Oszillatoren, Treiber-ICs usw.

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Produktdetails

 
Teilenummer | UMD3NTR
Status | Aktiv
Gehäuse | UMT6
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

SOT-363

JEITA Package

SC-88

Number of terminal

6

Polarity

NPN+PNP

Supply voltage VCC 1[V]

50

Collector current Io (Ic) [A]

0.1

Input resistance R1 1 [kΩ]

10

Emitter base Resistance R2 1 [kΩ]

10

Supply voltage VCC 2[V]

-50

Collector current IC 2[A]

-0.1

Input resistance R1 2 [kΩ]

10

Emitter base Resistance R2 2 [kΩ]

10

Power Dissipation (PD)[W]

0.15

Mounting Style

Surface mount

Equivalent (Single Part)

DTA114E / DTC114E

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

2x2.1 (t=1)

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