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Was sind GaN-Leistungsbauelemente?GaN ist ein Verbindungshalbleitermaterial, das zur Herstellung von Hochleistungsbauteilen, den so genannten GaN-HEMTs, verwendet wird.
Im Vergleich zu Silizium, dem derzeit vorherrschenden Halbleitermaterial, zeichnen sich GaN-Leistungsbauelemente durch niedrige Leitungsverluste (niedriger ON-Widerstand) und eine hervorragende Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung aus und erfüllen damit die Marktanforderungen nach verbesserter Leistungsumwandlungseffizienz und Miniaturisierung.
Was ist GaN?GaN (Galliumnitrid) ist ein Verbindungshalbleiter, der aus Gallium (Ga) und Stickstoff (N) besteht.
Ein Verbindungshalbleiter ist ein Halbleiter, der aus zwei oder mehr miteinander verbundenen Elementen besteht.
Was ist GaN HEMT?HEMT steht für High Electron Mobility Transistor.
Ein HEMT ist ein Transistor, der Halbleitermaterialien mit hoher Elektronenbeweglichkeit verwendet, was wiederum Hochgeschwindigkeitsschaltungen (Hochfrequenzbetrieb) ermöglicht.
Korrekter Einsatz von GaN-LeistungsbauelementenDie Maximierung der Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung von GaN-HEMTs erfordert spezielles Fachwissen.
Dazu gehört insbesondere die Verwendung von Ultra-High-Speed-Gate-Treibern und Controller-ICs, die eine Hochgeschwindigkeits-Pulssteuerung ermöglichen.