Vollständige Nutzung von GaN-Leistungsbauelementen
Die Maximierung der Hochgeschwindigkeitsschaltfähigkeiten von GaN-HEMTs erfordert spezielles Fachwissen. Dazu gehört der Einsatz von Ultra-High-Speed-Gate-Treibern und Controller-ICs, die für die Hochgeschwindigkeits-Pulssteuerung ausgelegt sind.
Um dieses Problem zu lösen, sind Leistungsstufen-ICs erhältlich, die einen GaN-HEMT und einen Gate-Treiber-IC in einem gemeinsamen Gehäuse kombinieren.
Diese ICs machen komplizierte Treiberanpassungen überflüssig, so dass Si-MOSFETs leicht ersetzt werden können.
Überblick Leistungsstufen-IC
Integriert einen GaN HEMT und Gate-Treiber in einem gemeinsamen Gehäuse
Eliminiert den Bedarf an lästigen Treiberanpassungen bei gleichzeitiger Maximierung der GaN-HEMT-Leistung.
Reduktion der Komponenten
ROHM, ein führender Halbleiterlieferant, bietet Leistungsstufen-ICs, in denen periphere Komponenten bereits integriert sind. Dadurch verringert sich die Anzahl der externen Komponenten, was die Montagefläche minimiert und Kosten senkt.