Mask ROM ＜Merkmale von Halbleiterspeicher＞

Mask ROM – Speicherzellenkonfiguration

• Übernimmt eine NAND-Struktur für erhöhte Integration (1 Transistorzelle)

Datenschreibmethode

Schreiben der Informationen im Wafer-Prozess

1. „1": Ionen in Transistor implantiert
2. „0": Keine Ionenimplantation

Datenlesemethode

1. Wortleitungspotenzial der Lesezelle ist 0V
2. Wortleitungspotenzial der Nicht-Lese-Zelle ist VCC
3. → Spannung wird an die Bitleitung gelegt
4. „1" wird festgelegt, wenn Strom fließt