SRAM ＜Merkmale von Halbleiterspeichern＞

Speicherzellenstruktur

• Konfiguration mit 6 Transistorzellen
• Konfiguration mit 4 Transistorzellen (Zellentyp mit hochohmiger Last)

Daten schreib methode

[Bei „1"]

1. Potenzial der Wortleitung ist hoch
2. Weisen Sie der Bitleitung ein Potenzial zu (D=Niedrig, D=Hoch)
   → Der Zustand des Flipflops
3. Potenzial der Wortleitung ist niedrig
4. Word Line potential is Low

Datenlesemethode

[Bei „1"]

1. Potenzial der Wortleitung ist AUS
2. Vorladung der Bitleitung (dasselbe Potenzial wie D, D)
3. Potenzial der Wortleitung ist hoch
4. Ist die Bitleitung niedrig, sind die Bedingungen hoch
5. Verstärkt durch Sensorverstärker

„0", „1" von Flipflop-Schaltung gespeichert