Schottky-Dioden (SBD)

Struktur	Symbol	Anwendungenï― ĨMerkmale
		Wird für die sekundäre Gleichrichtung des Stroms verwendet Niedrige VF(geringer Verlust), große IR Hohe Schaltgeschwindigkeit

Im Gegensatz zu konventionellen Dioden, die ihre Diodenmerkmale über eine PN-Sperrschicht (Halbleiter-Halbleiter) zeigen, verwenden Schottky-Dioden eine Schottky-Sperre, die aus einer Halbleiter-Sperrschicht besteht. Dies führt zu niedrigeren VF-Merkmalen (Abfall der Durchlassspannung) im Vergleich zu Dioden mit einer PN-Sperrschicht und ermöglicht schnellere Schaltgeschwindigkeiten. Ein Nachteil ist jedoch der größere Ableitstrom (IR), der Gegenmaßnahmen erforderlich macht, um thermisches Durchgehen zu vermeiden.

Schottky-Dioden, die häufig für die sekundäre Gleichrichtung des Stroms verwendet werden, zeigen Merkmale, die je nach verwendetem Metalltyp sehr variieren können. ROHM bietet eine umfassende Produktpalette von industrieführenden Schottky-Dioden, die verschiedene Metalle verwenden.

• RB**1-Serien mit niedrigem V_F-Typ
• RB**0-Serien mit niedrigem l_R-Typ
• ROHM bietet die RB**8-Serie der ultraniedrigen I_R-Dioden für Anwendungen in der Automobiltechnik

Thermisches Durchgehen

Schottky-Dioden sind anfällig für übermäßige Wärmeentwicklung während hoher Ströme. Als ein Ergebnis kann die Kombination von großer Wärme mit erhöhtem IR (Ableitstrom) zu einem Anstieg der Gehäusetemperatur und der Umgebungstemperatur führen. Als Konsequenz kann eine falsche thermische Auslegung zu einer Wärmemenge führen, die die abgeleitete Menge übersteigt. Dies kann zu übermäßiger Wärmeerzeugung, Ableitstrom und möglicherweise zu Schäden führen. Dieses Phänomen wird "Thermisches Durchgehen" genannt.