DRAM ＜Merkmale von Halbleiterspeichern＞
Speicherzellenstruktur
Besteht aus einem Transistor und einem Kondensator
Datenschreibmethode
[Bei „1"]
- Potenzial der Wortleitung ist hoch
- Potenzial der Bitleitung ist hoch
- Potenzial der Wortleitung ist niedrig
Der Zustand „1"
Der Zustand „0"
