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DRAM ＜Merkmale von Halbleiterspeichern＞

Speicherzellenstruktur

Besteht aus einem Transistor und einem Kondensator

Besteht aus einem Transistor und einem Kondensator

Datenschreibmethode

[Bei „1"]

  1. Potenzial der Wortleitung ist hoch
  2. Potenzial der Bitleitung ist hoch
  3. Potenzial der Wortleitung ist niedrig
1状態

Der Zustand „1"

0状態

Der Zustand „0"

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