Hochfrequenz-Dioden (PIN-Dioden)

Struktur	Symbol	Anwendungen・ Merkmale
		Hochfrequenzschaltung→Geeignet für Mobiltelefone usw. Regelwiderstandselement für AGC(*) und Abschwächungsschaltkreise *: Automatic Gain Control, automatischer Verstärkungsregler Die (interne) Diodenkapazität (Ct) ist sehr gering

Ein l-Typ-Halbleiter mit hohem Widerstand wird verwendet, um eine deutlich niedrigere Diodenkapazität zu erlangen (C_t). Demzufolge fungieren PIN-Dioden als Regelwiderstand mit Durchlassspannung und verhalten sich wie ein Kondensator mit Sperrvorspannung. Hochfrequenzmerkmale (niedrige Kapazität führt zu minimalen Auswirkungen von Signalleitungen) ermöglichen so die Verwendung als Regelwiderstandselemente in einem breiten Spektrum von Anwendungen. Dazu gehören Abschwächer, Hochfrequenzsignalschalter (z. B. Mobiltelefone, für die eine Antenne erforderlich ist) und AGC-Schaltkreise.

Durchlassspannung	Sperrspannung
Variabler Widerstand mit Durchlassspannung	Kondensator mit Sperrvorspannung

Was ist die Diodenkapazit (C_t)？

Die Größe der internen Aufladung beim Bereitstellen einer Sperrvorspannung wird Diodenkapazität genannt (C_t). Eine elektrisch neutrale Übergangsschicht wird durch Füllen der intrinsischen Schicht, die zwischen P- und N-Schichten erstellt wird, mit Ladungsträgern (Löchern und Elektronen) geformt. Die Übergangsschicht fungiert als parasitärer Kondensator, dessen Kapazität proportional zum Bereich der PN-Sperrschicht und umgekehrt proportional zum Abstand (d) ist. Der Abstand wird durch die Konzentration von P- und N-Schichten bestimmt. Das Anlegen von Spannung an die Diode führt zu einer vergrößerten Übergangsschicht und zu einer verminderten C_t. Die erforderliche C_t variiert je nach Anwendung.

［Anlegen einer Sperrspannung］