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Was sind SiC-Halbleiter?SiC (Siliziumkarbid) ist ein Verbundhalbleiter, der aus Silizium und Karbid besteht.
SiC SBD Die Integration der SiC-Hochgeschwindigkeits-Gerätekonstruktion in Schottky-Dioden (SBD) ermöglicht es, Stehspannungen von über 600 V zu erzielen.
Infolgedessen reduziert der Austausch der bestehenden PN-Sperrschicht-Dioden der Hauptströmung (Typ der schnellen Wiederherstellung) den Erholungsverlust erheblich und trägt zu einem geringeren Geräuschpegel und einer gesteigerten Kompaktheit in passiven Komponenten wie Spulen bei aufgrund der gesteigerten Effizienz der Stromversorgung und des Betriebs mit höheren Frequenzen.
SiC MOSFET SiC einen geringeren Driftschicht-Widerstand auf als Silizium-Geräte, wodurch der Bedarf nach einer Leitfähigkeitsmodulation eliminiert und eine hohe Stehspannung mit geringem Widerstand bei Nutzung in Hochgeschwindigkeitsgeräten wie MOSFETs ermöglicht wird.