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ROHM und GaN Systems kooperieren bei GaN-Leistungshalbleitern
Willich-Münchheide und Ottawa, Kanada, 4. Juni 2018 – ROHM, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern, und GaN Systems, der weltweit führende Anbieter von GaN-Leistungshalbleitern, gaben heute ihre Zusammenarbeit im Bereich GaN (Galliumnitrid) Leistungshalbleiter bekannt. Ziel der Kooperation ist die fortlaufende Weiterentwicklung der Leistungselektronik.
Diese strategische Partnerschaft nutzt die branchenführenden Fähigkeiten von GaN Systems im Bereich der GaN-Leistungsresistoren zusammen mit ROHMs umfassender Präsenz im Halbleiterbereich und seinen beträchtlichen Ressourcen bei der Entwicklung und Herstellung von Elektronikkomponenten. Die Unternehmen haben vereinbart, gemeinsam form-, fit- und funktionskompatible Produkte zu entwickeln, die sowohl in den GaNPX® -Gehäusen von GaN Systems als auch in den traditionellen Leistungshalbleitergehäusen von ROHM verwendet werden können. Kunden von GaN Systems und ROHM haben nun den Vorteil, dass ihnen zwei mögliche Quellen für gehäusekompatible GaN-Leistungsschalter zur Verfügung stehen, die die größte Auswahl an Dual-Source-GaN-Bauelementen bieten.
Die Kunden profitieren zudem von einem besseren Zugang zu GaN-Produkten und -Ressourcen weltweit, insbesondere in Asien, einem der am schnellsten wachsenden Märkte für GaN. Darüber hinaus werden GaN Systems und ROHM bei der Erforschung und Entwicklung von GaN-Halbleitern kooperieren, um bahnbrechende Lösungen für die Bereiche Industrie, Automobil und Konsumgüterelektronik vorzuschlagen. Für größere Energieeinsparungen und höhere Leistungsdichten im Leistungselektronikmarkt werden beide Unternehmen weiter zusammenarbeiten, um ihr Angebot an GaN-Produkten auszubauen und die Auswahl zu vergrößern.
„GaN hat seinen Aufstieg in die Leistungselektronik schnell vollzogen. Diese Partnerschaft zeigt, wie wichtig GaN für ein vollständiges Leistungselektronikangebot geworden ist“, erklärt Jim Witham, CEO von GaN Systems. „Wir sind sehr stolz auf die Partnerschaft mit ROHM, einem Unternehmen, das für die Entwicklung branchenführender Technologien bekannt ist. Durch die Kombination unserer gemeinsamen Expertise und Fähigkeiten können mehr Unternehmen die Vorteile von GaN nutzen, um leistungsfähigere, effizientere, kleinere und leichtere Leistungselektronikkomponenten zu erhalten“.
„ROHM hat das Power-Device-Geschäft als eine der Wachstumsstrategien erkoren. Wir verfügen über Spitzenprodukte wie SiC- (Siliziumkarbid) Leistungskomponenten und bieten Power-Lösungen mit integrierten Steuerungstechnologien, einschließlich Gate-Treiber, die die Leistung der Geräte maximieren. Wir entwickeln auch GaN für die nächste Generation von Leistungskomponenten. Durch Nutzung der überlegenen Technologien und Expertise beider Unternehmen sind wir in der Lage, die Entwicklung von Hochleistungsanwendungen zur Lösung der Anforderungen des Power-Marktes zu beschleunigen", sagte Katsumi Azuma, Senior Managing Director von ROHM Semiconductor.
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Über GaN Systems
GaN Systems ist der weltweit führende Anbieter von GaN-Leistungshalbleitern mit dem größten Portfolio an Transistoren. Diese erfüllen die Anforderungen der anspruchsvollsten Branchen wie Rechenzentrumsserver, Systeme für erneuerbare Energien, Automotive, Industriemotoren und Konsumgüterelektronik.
Als marktführender Innovator ermöglicht GaN Systems die Entwicklung von kleineren, kostengünstigeren und effizienteren Stromversorgungssystemen. Die preisgekrönten Produkte des Unternehmens ermöglichen Systemdesigns ohne die Beschränkungen des veralteten Siliziums. Durch Änderung der Regeln für die Transistorleistung ermöglicht GaN Systems es Energieumwandlungsunternehmen ihre Industrien zu revolutionieren und die Welt zu verändern. Weitere Informationen gibt es unter:www.gansystems.com oder auf Facebook, Twitter und LinkedIn.
ROHM und GaN Systems kooperieren bei GaN-Leistungshalbleitern
Willich-Münchheide und Ottawa, Kanada, 4. Juni 2018 – ROHM, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern, und GaN Systems, der weltweit führende Anbieter von GaN-Leistungshalbleitern, gaben heute ihre Zusammenarbeit im Bereich GaN (Galliumnitrid) Leistungshalbleiter bekannt. Ziel der Kooperation ist die fortlaufende Weiterentwicklung der Leistungselektronik.
Diese strategische Partnerschaft nutzt die branchenführenden Fähigkeiten von GaN Systems im Bereich der GaN-Leistungsresistoren zusammen mit ROHMs umfassender Präsenz im Halbleiterbereich und seinen beträchtlichen Ressourcen bei der Entwicklung und Herstellung von Elektronikkomponenten. Die Unternehmen haben vereinbart, gemeinsam form-, fit- und funktionskompatible Produkte zu entwickeln, die sowohl in den GaNPX® -Gehäusen von GaN Systems als auch in den traditionellen Leistungshalbleitergehäusen von ROHM verwendet werden können. Kunden von GaN Systems und ROHM haben nun den Vorteil, dass ihnen zwei mögliche Quellen für gehäusekompatible GaN-Leistungsschalter zur Verfügung stehen, die die größte Auswahl an Dual-Source-GaN-Bauelementen bieten.
Die Kunden profitieren zudem von einem besseren Zugang zu GaN-Produkten und -Ressourcen weltweit, insbesondere in Asien, einem der am schnellsten wachsenden Märkte für GaN. Darüber hinaus werden GaN Systems und ROHM bei der Erforschung und Entwicklung von GaN-Halbleitern kooperieren, um bahnbrechende Lösungen für die Bereiche Industrie, Automobil und Konsumgüterelektronik vorzuschlagen. Für größere Energieeinsparungen und höhere Leistungsdichten im Leistungselektronikmarkt werden beide Unternehmen weiter zusammenarbeiten, um ihr Angebot an GaN-Produkten auszubauen und die Auswahl zu vergrößern.
„GaN hat seinen Aufstieg in die Leistungselektronik schnell vollzogen. Diese Partnerschaft zeigt, wie wichtig GaN für ein vollständiges Leistungselektronikangebot geworden ist“, erklärt Jim Witham, CEO von GaN Systems. „Wir sind sehr stolz auf die Partnerschaft mit ROHM, einem Unternehmen, das für die Entwicklung branchenführender Technologien bekannt ist. Durch die Kombination unserer gemeinsamen Expertise und Fähigkeiten können mehr Unternehmen die Vorteile von GaN nutzen, um leistungsfähigere, effizientere, kleinere und leichtere Leistungselektronikkomponenten zu erhalten“.
„ROHM hat das Power-Device-Geschäft als eine der Wachstumsstrategien erkoren. Wir verfügen über Spitzenprodukte wie SiC- (Siliziumkarbid) Leistungskomponenten und bieten Power-Lösungen mit integrierten Steuerungstechnologien, einschließlich Gate-Treiber, die die Leistung der Geräte maximieren. Wir entwickeln auch GaN für die nächste Generation von Leistungskomponenten. Durch Nutzung der überlegenen Technologien und Expertise beider Unternehmen sind wir in der Lage, die Entwicklung von Hochleistungsanwendungen zur Lösung der Anforderungen des Power-Marktes zu beschleunigen", sagte Katsumi Azuma, Senior Managing Director von ROHM Semiconductor.
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Über GaN Systems
GaN Systems ist der weltweit führende Anbieter von GaN-Leistungshalbleitern mit dem größten Portfolio an Transistoren. Diese erfüllen die Anforderungen der anspruchsvollsten Branchen wie Rechenzentrumsserver, Systeme für erneuerbare Energien, Automotive, Industriemotoren und Konsumgüterelektronik.
Als marktführender Innovator ermöglicht GaN Systems die Entwicklung von kleineren, kostengünstigeren und effizienteren Stromversorgungssystemen. Die preisgekrönten Produkte des Unternehmens ermöglichen Systemdesigns ohne die Beschränkungen des veralteten Siliziums. Durch Änderung der Regeln für die Transistorleistung ermöglicht GaN Systems es Energieumwandlungsunternehmen ihre Industrien zu revolutionieren und die Welt zu verändern. Weitere Informationen gibt es unter:www.gansystems.com oder auf Facebook, Twitter und LinkedIn.
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