ROHMs neuer Hochgeschwindigkeits-Gate-Treiber-IC: Maximierung der Leistung von GaN-Bauelementen

Branchenweit führende* Gate-Ansteuerung im Nanosekundenbereich ermöglicht weitere Energieeinsparungen und Miniaturisierung in LiDAR-Anwendungen und Rechenzentren

ROHM hat mit dem BD2311NVX-LB einen Gate-Treiber-IC entwickelt, der für GaN-Bauelemente optimiert ist. Der IC ermöglicht die Gate-Ansteuerung im Nanosekundenbereich (ns) und ist damit ideal für Hochgeschwindigkeits-GaN-Schaltungen geeignet. Möglich wurde dies durch ein tiefes Verständnis der GaN-Technologie und die kontinuierliche Weiterentwicklung der Gate-Treiber-Performance. Das Ergebnis ist ein schnelles Schalten mit einer minimalen Gate-Eingangspulsbreite von 1,25 ns. Dies trägt zu kleineren, energieeffizienteren und leistungsfähigeren Anwendungen bei.

Da die Anzahl der IoT-Geräte weiter zunimmt, sind die Verbesserung des Wirkungsgrads bei der Energieumwandlung und die Verkleinerung der Stromversorgungen in Serversystemen zu wichtigen Faktoren geworden. Dies erfordert weitere Fortschritte im Bereich der Leistungsbauelemente. Gleichzeitig benötigt LiDAR, das nicht nur für das autonome Fahren, sondern auch für die Überwachung von Industrieanlagen und sozialer Infrastruktur eingesetzt wird, gepulstes Laserlicht mit hoher Geschwindigkeit, um die Erkennungsgenauigkeit weiter zu erhöhen.

Diese Art von Anwendungen erfordern den Einsatz von Hochgeschwindigkeits-Schaltbauelementen. Deshalb entwickelte ROHM zusammen mit der Einführung von GaN-Bauelementen einen Hochgeschwindigkeits-Gate-Treiber-IC, der die GaN-Leistung maximiert. Auch in Zukunft wird ROHM kleinere WLCSP-Produkte auf den Markt bringen, um eine weitere Miniaturisierung zu unterstützen.

Da GaN-Bauelemente empfindlich auf Überspannungen am Gate-Eingang reagieren, hat ROHM eine einzigartige Methode zur Unterdrückung von Gate-Überspannungen entwickelt und in die neuen Treiber implementiert. Das optimale GaN-Bauelement kann üblicherweise durch Anpassung des Gate-Widerstandes an die Anforderungen der Anwendung ausgewählt werden. Unter dem Namen EcoGaN™ bietet ROHM eine Reihe von GaN-Bauelementen an, die in Kombination mit Gate-Treiber-ICs, die ihre Leistung maximieren, einen höheren Wirkungsgrad erreichen. Der Gate-Treiber BD2311NVX-LB mit seiner einzigartigen Funktion zur Unterdrückung von Gate-Überspannungen vereinfacht das Design und erhöht die Zuverlässigkeit der Anwendung, wenn er zusammen mit ROHMs EcoGaN™-Produkten verwendet wird.

EcoGaNTM bezieht sich auf ROHMs neue Produktreihe von GaN-Bauelementen, die den niedrigen Einschaltwiderstand weiter verringern und die Hochgeschwindigkeits-Schaltcharakteristik von GaN maximieren. Auf diese Weise tragen sie zur Energieeinsparung und Miniaturisierung bei. Das Ziel: die Stromaufnahme einer Anwendung zu senken, Peripheriekomponenten zu miniaturisieren und den Designaufwand sowie die Anzahl der benötigten Teile zu reduzieren.