RFN1VWM2STF
200V 1A 14ns, PMDE, Ultra Fast Recovery Diode für die Automobilindustrie

Der RFN1VWM2STF ist eine Diode mit hervorragendem trr, was für den Hochfrequenzbetrieb wichtig ist, und erreicht im kleinen PMDE-Gehäuse die gleichen elektrischen Eigenschaften wie herkömmliche ROHM-Produkte. Das PMDE-Gehäuse ist äußerst zuverlässig und hat eine hervorragende Wärmeableitung.

Produktdetails

 
Teilenummer | RFN1VWM2STFTR
Status | Empfohlen
Gehäuse | PMDE
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Configuration

Single

Mounting Style

Surface mount

Number of terminal

2

VRM[V]

200

Reverse Voltage VR[V]

200

Average Rectified Forward Current IO[A]

1

IFSM[A]

20

Forward Voltage VF(Max.)[V]

0.93

IF @ Forward Voltage [A]

1

Reverse Current IR(Max.)[mA]

0.001

VR @ Reverse Current [V]

200

trr(Max.)[ns]

25

IF @ trr [mA]

0.5

IR @ trr [A]

1

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

1.3x2.5 (t=1)

Common Standard

AEC-Q101 (Automotive Grade)

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Eigenschaften:

  • Low switching loss
  • Low forward voltage
  • High current overload capacity

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