RFN1VWM2S
200 V, 1 A, 14 ns, PMDE, Ultra Fast Recovery Diode
RFN1VWM2S
RFN1VWM2S
200 V, 1 A, 14 ns, PMDE, Ultra Fast Recovery Diode
Der RFN1VWM2S ist eine Diode mit hervorragendem trr, was für den Hochfrequenzbetrieb wichtig ist, und erreicht im kleinen PMDE-Gehäuse die gleichen elektrischen Eigenschaften wie herkömmliche ROHM-Produkte. Das PMDE-Gehäuse ist äußerst zuverlässig und hat eine hervorragende Wärmeableitung.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Configuration
Single
Mounting Style
Surface mount
Number of terminal
2
VRM[V]
200
Reverse Voltage VR[V]
200
Average Rectified Forward Current IO[A]
1
IFSM[A]
20
Forward Voltage VF(Max.)[V]
0.93
IF @ Forward Voltage [A]
1
Reverse Current IR(Max.)[mA]
0.001
VR @ Reverse Current [V]
200
trr(Max.)[ns]
25
IF @ trr [mA]
0.5
IR @ trr [A]
1
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
1.3x2.5 (t=1)
Eigenschaften:
- Low switching loss
- Low forward voltage
- High current overload capacity
