RGSX5TS65E
8 μs Kurzschlusstoleranz, 650 V 75 A, eingebaute FRD, Field Stop Trench IGBT

Der RGSX5TS65E ist ein IGBT mit garantierten 8 μs SCSOA, geeignet für Universal-Inverter, UPS, Schweißgeräte und Power Conditioner.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RGSX5TS65EGC11
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-247N
Einheitenmenge | 450
Minimale Gehäusemenge | 30
Gehäusetyp | Tube
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Series

S: For inverter (tsc 8-10µs)

VCES [V]

650

IC(100°C)[A]

75

VCE(sat) (Typ.) [V]

1.7

tf(Typ.) [ns]

87

tsc(Min.) [us]

8

Built-in Diode

FRD

Pd [W]

404

BVCES (Min.)[V]

650

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

16x21 (t=5.2)

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Eigenschaften:

  • Low Collector - Emitter Saturation Voltage
  • Short Circuit Withstand Time 8μs
  • Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
  • Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant