RGSX5TS65EHR
8 μs Kurzschlusstoleranz, 650 V 75 A, eingebaute FRD, Field Stop Trench IGBT für die Automobilindustrie
RGSX5TS65EHR
RGSX5TS65EHR
8 μs Kurzschlusstoleranz, 650 V 75 A, eingebaute FRD, Field Stop Trench IGBT für die Automobilindustrie
Der RGSX5TS65EHR ist ein IGBT mit garantierten 8 μs SCSOA, geeignet für Universal-Inverter im Automobil- und Industrieeinsatz. Dieses Produkt entspricht den Anforderungen gemäß AEC-Q101.
Produktdetails
Spezifikationen:
Series
S: For inverter (tsc 8-10µs)
VCES [V]
650
IC(100°C)[A]
75
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.7
tf(Typ.) [ns]
87
tsc(Min.) [us]
8
Built-in Diode
FRD
Pd [W]
404
BVCES (Min.)[V]
650
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
16x21 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Low Collector - Emitter Saturation Voltage
- Short Circuit Withstand Time 8μs
- Qualified to AEC-Q101
- Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
- Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
