R8001CND3FRA
Nch 800V 1A Leistungs-MOSFET
R8001CND3FRA
R8001CND3FRA
Nch 800V 1A Leistungs-MOSFET
Der R8001CND3FRA ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit durch Super Junction Technologie. Es handelt sich um ein hochzuverlässiges Produkt in Automobilqualität, das nach AEC-Q101 zertifiziert und für Schaltanwendungen geeignet ist.
Produktdetails
Teilenummer | R8001CND3FRATL
Status |
Empfohlen
Gehäuse |
TO-252
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
Gehäusetyp | Taping
RoHS |
Ja
Spezifikationen:
Package Code
TO-252 (DPAK)
JEITA Package
SC-63
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
800
Drain Current ID[A]
1
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
6.7
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
6.7
Total gate charge Qg[nC]
7.2
Power Dissipation (PD)[W]
36
Drive Voltage[V]
10
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
6.6x10.0 (t=2.3)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Drive circuits can be simple
- Pb-free plating ; RoHS compliant
- AEC-Q101 qualified
