Nch 800V 1A Leistungs-MOSFET - R8001CND3FRA (Neues Produkt)

Der R8001CND3FRA ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit durch Super Junction Technologie. Es handelt sich um ein hochzuverlässiges Produkt in Automobilqualität, das nach AEC-Q101 zertifiziert und für Schaltanwendungen geeignet ist.

Teilenummer | R8001CND3FRATL
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-252
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Automotive

Common Standard

AEC-Q101 (Automotive Grade)

Package Code

TO-252 (DPAK)

JEITA Package

SC-63

Package Size[mm]

6.6x10.0 (t=2.3)

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

800

Drain Current ID[A]

1.0

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

6.7

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

6.7

Total gate charge Qg[nC]

7.2

Power Dissipation (PD)[W]

36.0

Drive Voltage[V]

10.0

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Drive circuits can be simple
  • Pb-free plating ; RoHS compliant
  • AEC-Q101 qualified