RV4E031RPHZG
Pch -30 V -3,1 A Kleinsignal-MOSFET für die Automobilbranche
RV4E031RPHZG
Pch -30 V -3,1 A Kleinsignal-MOSFET für die Automobilbranche
RV4E031RPHZG ist ein äußerst kompakter MOSFET in Automobilqualität, der eine hervorragende Montagezuverlässigkeit bietet. RV4E031RPHZG weist an der Seite des Gehäuses die für Fahrzeuganwendungen erforderliche Elektrodenhöhe auf (130μm), wobei die Original-Technologie der benetzbaren Flankenformation verwendet wird. Das Ergebnis ist eine konstante Lötqualität - auch für Produkte mit Elektroden an der Unterseite -, die es automatischen Inspektionsmaschinen ermöglicht, die Lötbedingungen nach der Montage einfach zu überprüfen. Dies ermöglicht eine stärkere Miniaturisierung in Automobilgeräten wie ADAS-Kameramodulen.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
DFN1616-6W
Number of terminal
8
Polarity
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-3.1
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.122
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.108
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.075
RDS(on)[Ω] VGS=Drive(Typ)
0.122
Total gate charge Qg[nC]
4.8
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
-4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
1.6x1.6 (t=0.8)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Low on - resistance.
- Small high power package
- Low voltage drive(4V)
- 100% UIS tested.
- Wettable Flank for automated optical solder inspection(AOI). Electrode part 130μm guarantee.
Produktvideo & Katalog
