RV4E031RPHZG
P-Kanal -30 V, -3,1 A Kleinsignal-MOSFET für Automotive
RV4E031RPHZG
P-Kanal -30 V, -3,1 A Kleinsignal-MOSFET für Automotive
Der RV4E031RPHZG ist ein ultrakompakter MOSFET nach Automotive-Standard, der eine überragende Montagezuverlässigkeit bietet. Der RV4C020ZPHZG verfügt über die für Fahrzeuganwendungen erforderliche Elektrodenhöhe an der Seite des Gehäuses (130μm) unter Verwendung der originalen Wettable-Flank-Formationstechnologie. Das Ergebnis ist eine konsistente Lötqualität – selbst bei Produkten mit Bodenelektroden – die es automatischen Inspektionsmaschinen ermöglicht, den Lötzustand nach der Montage einfach zu überprüfen. Dies ermöglicht eine stärkere Miniaturisierung in Automobilgeräten wie ADAS-Kameramodulen.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
DFN1616-6W
Number of terminal
8
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-3.1
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.122
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.108
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.075
RDS(on)[Ω] VGS=Drive(Typ)
0.122
Total gate charge Qg[nC]
4.8
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
-4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
1.6x1.6 (t=0.8)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand.
- Kleines Hochleistungsgehäuse.
- Niederspannungsansteuerung (4V)
- 100% UIS-geprüft.
- Wettable Flank für automatisierte optische Lötinspektion (AOI) Elektrodenbereich 130μm garantiert.
Produktvideo & Katalog
