RCJ081N20
10 V Drive Nch Leistungs-MOSFET
RCJ081N20
10 V Drive Nch Leistungs-MOSFET
MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um unterschiedliche Marktbedürfnisse zu erfüllen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-263 (D2PAK)
JEITA Package
SC-83
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
200
Drain Current ID[A]
8
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.55
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.55
Total gate charge Qg[nC]
8.5
Power Dissipation (PD)[W]
40
Drive Voltage[V]
10
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
9.0x10.1 (t=4.7)
Eigenschaften:
・ Low on-resistance.・ Fast switching speed.
・ Drive circuits can be simple.
・ Parallel use is easy.
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
・ 100% Avalanche tested
Produktvideo & Katalog
