RCJ510N25
10 V Antriebs-Nch-MOSFET

MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um unterschiedliche Marktbedürfnisse zu erfüllen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RCJ510N25TL
Status | Aktiv
Gehäuse | LPTS (D2PAK)
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

TO-263 (D2PAK)

JEITA Package

SC-83

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

250

Drain Current ID[A]

51

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.048

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.048

Total gate charge Qg[nC]

120

Power Dissipation (PD)[W]

40

Drive Voltage[V]

10

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

10.1x13.1 (t=4.7)

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