RCX120N20
10 V Antriebs-Nch-MOSFET

MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um unterschiedliche Marktbedürfnisse zu erfüllen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RCX120N20
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-220FM
Einheitenmenge | 500
Minimale Gehäusemenge | 500
Gehäusetyp | Bulk
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TO-220FM

Package Size[mm]

15.1x10.1 (t=4.6)

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

200

Drain Current ID[A]

12.0

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.25

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.25

Total gate charge Qg[nC]

15.0

Power Dissipation (PD)[W]

40.0

Drive Voltage[V]

10.0

Mounting Style

Leaded type

Bare Die Part Number

Available: K6554

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· 10-Ｖ-Motor
· N-Kanal-Leistungs-MOSFET
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Einfache Motorschaltungen möglich
· Einfache parallele Verwendung
· Bleifrei/RoHS-konform
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Technische Artikel

Schematic Design & Verification

  • Temperature derating method for Safe Operating Area (SOA)
  • Calculation of Power Dissipation in Switching Circuit
  • Method for Monitoring Switching Waveform
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Thermal Design

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  • What is a Thermal Model? (Transistor)
  • Measurement Method and Usage of Thermal Resistance RthJC
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