R6006KND3
600V 6A TO-252, Hochgeschwindigkeits-Schalt-Leistungs-MOSFET
R6006KND3
600V 6A TO-252, Hochgeschwindigkeits-Schalt-Leistungs-MOSFET
Der R6006KND3 ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchgangswiderstand und schnellem Schaltverhalten, geeignet für Schaltanwendungen.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-252 (DPAK)
JEITA Package
SC-63
Applications
Power Supply
Number of terminal
3
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
600
Drain Current ID[A]
6
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.72
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.72
Total gate charge Qg[nC]
12
Power Dissipation (PD)[W]
70
Drive Voltage[V]
10
trr (Typ.)[ns]
290
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K8015
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
9.9x6.6 (t=2.4)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Extrem schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Einfache Parallelverwendung
- Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform
