R6007KNJ
Nch-Leistungs-MOSFET 600 V 7 A

R6007KNJ hat einen niedrigen Einschaltwiderstand und MOSFET mit hoher Umschaltgeschwindigkeit und Leistung.

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Produktdetails

 
Teilenummer | R6007KNJTL
Status | Empfohlen
Gehäuse | LPTS (D2PAK)
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TO-263 (D2PAK)

Package Size [mm]

10.1x13.1 (t=4.7)

JEITA Package

SC-83

Applications

Power Supply

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

600

Drain Current ID[A]

7.0

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.57

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.57

Total gate charge Qg[nC]

14.5

Power Dissipation (PD)[W]

78.0

Drive Voltage[V]

10.0

Trr (Typ.)[ns]

302

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K8010

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • Low on-resistance.
  • Ultra fast switching speed.
  • Parallel use is easy.
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant.
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